تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حجم الذاكرة: |
2 جيجابت |
حالة المنتج: |
نشط |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR) |
السلسلة: |
السيارات، AEC-Q100 |
DigiKey برمجة: |
لم يتم التحقق |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
15ns |
حزمة أجهزة المورد: |
96-تيرابايت (9 × 13) |
نوع الذاكرة: |
متقلب |
مفر: |
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc |
تردد الساعة: |
800 ميغا هيرتز |
الجهد - الإمدادات: |
1.425 فولت ~ 1.575 فولت |
وقت الوصول: |
20 نانوثانية |
الحزمة / الحقيبة: |
96-TFBGA |
منظمة الذاكرة: |
128 م × 16 |
درجة حرارة العمل: |
-40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (ح) |
التكنولوجيا: |
ذاكرة SDRAM - DDR3 |
رقم المنتج الأساسي: |
IS43TR16128 |
تنسيق الذاكرة: |
درهم |
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حجم الذاكرة: |
2 جيجابت |
حالة المنتج: |
نشط |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR) |
السلسلة: |
السيارات، AEC-Q100 |
DigiKey برمجة: |
لم يتم التحقق |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
15ns |
حزمة أجهزة المورد: |
96-تيرابايت (9 × 13) |
نوع الذاكرة: |
متقلب |
مفر: |
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc |
تردد الساعة: |
800 ميغا هيرتز |
الجهد - الإمدادات: |
1.425 فولت ~ 1.575 فولت |
وقت الوصول: |
20 نانوثانية |
الحزمة / الحقيبة: |
96-TFBGA |
منظمة الذاكرة: |
128 م × 16 |
درجة حرارة العمل: |
-40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (ح) |
التكنولوجيا: |
ذاكرة SDRAM - DDR3 |
رقم المنتج الأساسي: |
IS43TR16128 |
تنسيق الذاكرة: |
درهم |
