تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: IC SRAM 4 ميجابايت بالتوازي 36SOJ
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حالة المنتج: |
نشط |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
أنبوب |
السلسلة: |
- |
DigiKey برمجة: |
لم يتم التحقق |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
10ns |
حزمة أجهزة المورد: |
36-SOJ |
نوع الذاكرة: |
متقلب |
مفر: |
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc |
حجم الذاكرة: |
4 ميجابت |
الجهد - الإمدادات: |
3.135 فولت ~ 3.6 فولت |
وقت الوصول: |
10 نانوثانية |
الحزمة / الحقيبة: |
36-BSOJ (0.400 بوصة ، عرض 10.16 ملم) |
منظمة الذاكرة: |
512 كيلو × 8 |
درجة حرارة العمل: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
التكنولوجيا: |
SRAM - غير متزامن |
رقم المنتج الأساسي: |
IS61LV5128 |
تنسيق الذاكرة: |
SRAM |
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حالة المنتج: |
نشط |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
أنبوب |
السلسلة: |
- |
DigiKey برمجة: |
لم يتم التحقق |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
10ns |
حزمة أجهزة المورد: |
36-SOJ |
نوع الذاكرة: |
متقلب |
مفر: |
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc |
حجم الذاكرة: |
4 ميجابت |
الجهد - الإمدادات: |
3.135 فولت ~ 3.6 فولت |
وقت الوصول: |
10 نانوثانية |
الحزمة / الحقيبة: |
36-BSOJ (0.400 بوصة ، عرض 10.16 ملم) |
منظمة الذاكرة: |
512 كيلو × 8 |
درجة حرارة العمل: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
التكنولوجيا: |
SRAM - غير متزامن |
رقم المنتج الأساسي: |
IS61LV5128 |
تنسيق الذاكرة: |
SRAM |
