تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: IC DRAM 512 ميجابايت PAR 54TSOP II
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حجم الذاكرة: |
512 ميجابت |
حالة المنتج: |
ليس من أجل التصاميم الجديدة |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
الصندوق |
السلسلة: |
- |
DigiKey برمجة: |
لم يتم التحقق |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
- |
حزمة أجهزة المورد: |
54-TSOP II |
نوع الذاكرة: |
متقلب |
مفر: |
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc |
تردد الساعة: |
143 ميجا هرتز |
الجهد - الإمدادات: |
3 فولت ~ 3.6 فولت |
وقت الوصول: |
5.4 نانوثانية |
الحزمة / الحقيبة: |
54-TSOP (0.400 بوصة ، عرض 10.16 ملم) |
منظمة الذاكرة: |
64 م × 8 |
درجة حرارة العمل: |
0°C ~ 70°C (TA) |
التكنولوجيا: |
SDRAM |
رقم المنتج الأساسي: |
IS42S86400 |
تنسيق الذاكرة: |
درهم |
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حجم الذاكرة: |
512 ميجابت |
حالة المنتج: |
ليس من أجل التصاميم الجديدة |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
الصندوق |
السلسلة: |
- |
DigiKey برمجة: |
لم يتم التحقق |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
- |
حزمة أجهزة المورد: |
54-TSOP II |
نوع الذاكرة: |
متقلب |
مفر: |
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc |
تردد الساعة: |
143 ميجا هرتز |
الجهد - الإمدادات: |
3 فولت ~ 3.6 فولت |
وقت الوصول: |
5.4 نانوثانية |
الحزمة / الحقيبة: |
54-TSOP (0.400 بوصة ، عرض 10.16 ملم) |
منظمة الذاكرة: |
64 م × 8 |
درجة حرارة العمل: |
0°C ~ 70°C (TA) |
التكنولوجيا: |
SDRAM |
رقم المنتج الأساسي: |
IS42S86400 |
تنسيق الذاكرة: |
درهم |
