تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: LPDDR4 4G 256MX16 FBGA
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حجم الذاكرة: |
4 بت |
حالة المنتج: |
نشط |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR) |
السلسلة: |
السيارات، AEC-Q100 |
DigiKey برمجة: |
لم يتم التحقق |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
18ns |
حزمة أجهزة المورد: |
200-TFBGA (10x14.5) |
نوع الذاكرة: |
متقلب |
مفر: |
شركة ميكرون تكنولوجي |
تردد الساعة: |
2.133 جيجاهرتز |
الجهد - الإمدادات: |
1.06 فولت ~ 1.17 فولت |
الحزمة / الحقيبة: |
200-TFBGA |
منظمة الذاكرة: |
256 م × 16 |
درجة حرارة العمل: |
-40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (ح) |
التكنولوجيا: |
SDRAM - موبايل LPDDR4X |
وقت الوصول: |
3.5 نانوثانية |
تنسيق الذاكرة: |
درهم |
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حجم الذاكرة: |
4 بت |
حالة المنتج: |
نشط |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR) |
السلسلة: |
السيارات، AEC-Q100 |
DigiKey برمجة: |
لم يتم التحقق |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
18ns |
حزمة أجهزة المورد: |
200-TFBGA (10x14.5) |
نوع الذاكرة: |
متقلب |
مفر: |
شركة ميكرون تكنولوجي |
تردد الساعة: |
2.133 جيجاهرتز |
الجهد - الإمدادات: |
1.06 فولت ~ 1.17 فولت |
الحزمة / الحقيبة: |
200-TFBGA |
منظمة الذاكرة: |
256 م × 16 |
درجة حرارة العمل: |
-40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (ح) |
التكنولوجيا: |
SDRAM - موبايل LPDDR4X |
وقت الوصول: |
3.5 نانوثانية |
تنسيق الذاكرة: |
درهم |
