تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: IC PSRAM 64 ميجابايت بالتوازي 54VFBGA
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حالة المنتج: |
نشط |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
الصندوق |
السلسلة: |
- |
DigiKey برمجة: |
لم يتم التحقق |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
70ns |
حزمة أجهزة المورد: |
54-VFBGA (6x8) |
نوع الذاكرة: |
متقلب |
مفر: |
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc |
حجم الذاكرة: |
64 ميجابت |
الجهد - الإمدادات: |
1.7 فولت ~ 1.95 فولت |
وقت الوصول: |
70 نانوثانية |
الحزمة / الحقيبة: |
54-VFBGA |
منظمة الذاكرة: |
4 م × 16 |
درجة حرارة العمل: |
-40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (ح) |
التكنولوجيا: |
PSRAM (Pseudo SRAM) |
رقم المنتج الأساسي: |
IS66WVC4M16 |
تنسيق الذاكرة: |
PSRAM |
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حالة المنتج: |
نشط |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
الصندوق |
السلسلة: |
- |
DigiKey برمجة: |
لم يتم التحقق |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
70ns |
حزمة أجهزة المورد: |
54-VFBGA (6x8) |
نوع الذاكرة: |
متقلب |
مفر: |
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc |
حجم الذاكرة: |
64 ميجابت |
الجهد - الإمدادات: |
1.7 فولت ~ 1.95 فولت |
وقت الوصول: |
70 نانوثانية |
الحزمة / الحقيبة: |
54-VFBGA |
منظمة الذاكرة: |
4 م × 16 |
درجة حرارة العمل: |
-40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (ح) |
التكنولوجيا: |
PSRAM (Pseudo SRAM) |
رقم المنتج الأساسي: |
IS66WVC4M16 |
تنسيق الذاكرة: |
PSRAM |
