تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: RMLV0816BGB - 8Mb المتقدمة LPSRA
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حالة المنتج: |
نشط |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
الحمولة |
السلسلة: |
- |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
45ns |
حزمة أجهزة المورد: |
48-تفبجا (7.5x8.5) |
نوع الذاكرة: |
متقلب |
مفر: |
روتشستر للإلكترونيات، ذ.م.م |
حجم الذاكرة: |
8 ميجابت |
الجهد - الإمدادات: |
2.7 فولت ~ 3.6 فولت |
الحزمة / الحقيبة: |
48-TFBGA |
منظمة الذاكرة: |
512 كيلو × 16 |
درجة حرارة العمل: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
التكنولوجيا: |
SRAM - غير متزامن |
وقت الوصول: |
45 نانوثانية |
تنسيق الذاكرة: |
SRAM |
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حالة المنتج: |
نشط |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
الحمولة |
السلسلة: |
- |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
45ns |
حزمة أجهزة المورد: |
48-تفبجا (7.5x8.5) |
نوع الذاكرة: |
متقلب |
مفر: |
روتشستر للإلكترونيات، ذ.م.م |
حجم الذاكرة: |
8 ميجابت |
الجهد - الإمدادات: |
2.7 فولت ~ 3.6 فولت |
الحزمة / الحقيبة: |
48-TFBGA |
منظمة الذاكرة: |
512 كيلو × 16 |
درجة حرارة العمل: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
التكنولوجيا: |
SRAM - غير متزامن |
وقت الوصول: |
45 نانوثانية |
تنسيق الذاكرة: |
SRAM |
