تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: IC SRAM 8 ميجا بايت متوازي 44TSOP II
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حالة المنتج: |
نشط |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR) |
السلسلة: |
- |
DigiKey برمجة: |
لم يتم التحقق |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
45ns |
حزمة أجهزة المورد: |
44-TSOP II |
نوع الذاكرة: |
متقلب |
مفر: |
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc |
حجم الذاكرة: |
8 ميجابت |
الجهد - الإمدادات: |
2.2 فولت ~ 3.6 فولت |
وقت الوصول: |
45 نانوثانية |
الحزمة / الحقيبة: |
44-TSOP (0.400 بوصة ، عرض 10.16 ملم) |
منظمة الذاكرة: |
512 كيلو × 16 |
درجة حرارة العمل: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
التكنولوجيا: |
SRAM - غير متزامن |
رقم المنتج الأساسي: |
IS62WV51216 |
تنسيق الذاكرة: |
SRAM |
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حالة المنتج: |
نشط |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR) |
السلسلة: |
- |
DigiKey برمجة: |
لم يتم التحقق |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
45ns |
حزمة أجهزة المورد: |
44-TSOP II |
نوع الذاكرة: |
متقلب |
مفر: |
ISSI، Integrated Silicon Solution Inc |
حجم الذاكرة: |
8 ميجابت |
الجهد - الإمدادات: |
2.2 فولت ~ 3.6 فولت |
وقت الوصول: |
45 نانوثانية |
الحزمة / الحقيبة: |
44-TSOP (0.400 بوصة ، عرض 10.16 ملم) |
منظمة الذاكرة: |
512 كيلو × 16 |
درجة حرارة العمل: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
التكنولوجيا: |
SRAM - غير متزامن |
رقم المنتج الأساسي: |
IS62WV51216 |
تنسيق الذاكرة: |
SRAM |
