تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حالة المنتج: |
نشط |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR) |
السلسلة: |
- |
DigiKey برمجة: |
لم يتم التحقق |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
25ns |
حزمة أجهزة المورد: |
48-إف بي جي إيه (6 × 10) |
نوع الذاكرة: |
غير متطاير |
مفر: |
تقنيات إنفينيون |
حجم الذاكرة: |
4 ميجابت |
الجهد - الإمدادات: |
2.7 فولت ~ 3.6 فولت |
وقت الوصول: |
25 نانوثانية |
الحزمة / الحقيبة: |
48-TFBGA |
منظمة الذاكرة: |
512 كيلو × 8 |
درجة حرارة العمل: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
التكنولوجيا: |
NVSRAM (ذاكرة SRAM غير المتطايرة) |
رقم المنتج الأساسي: |
CY14B104 |
تنسيق الذاكرة: |
NVSRAM |
الفئة: |
الدوائر المتكاملة
الذاكرة
الذاكرة |
حالة المنتج: |
نشط |
نوع التثبيت: |
جبل السطح |
الحزمة: |
الشريط والفكرة (TR) |
السلسلة: |
- |
DigiKey برمجة: |
لم يتم التحقق |
واجهة الذاكرة: |
موازي |
اكتب Cycle Time - Word ، Page: |
25ns |
حزمة أجهزة المورد: |
48-إف بي جي إيه (6 × 10) |
نوع الذاكرة: |
غير متطاير |
مفر: |
تقنيات إنفينيون |
حجم الذاكرة: |
4 ميجابت |
الجهد - الإمدادات: |
2.7 فولت ~ 3.6 فولت |
وقت الوصول: |
25 نانوثانية |
الحزمة / الحقيبة: |
48-TFBGA |
منظمة الذاكرة: |
512 كيلو × 8 |
درجة حرارة العمل: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
التكنولوجيا: |
NVSRAM (ذاكرة SRAM غير المتطايرة) |
رقم المنتج الأساسي: |
CY14B104 |
تنسيق الذاكرة: |
NVSRAM |
