تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: IC DRAM 4G متوازي 533 ميجا هرتز
تكنولوجيا :: |
SDRAM - LPDDR2 المحمول |
فئة المنتج :: |
ذاكرة المرحلية |
نوع الذاكرة:: |
متقلب |
Factory Stock :: |
0 |
كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: |
- |
حزمة جهاز المورد:: |
- |
وقت الوصول :: |
- |
تنسيق الذاكرة:: |
درهم |
حالة الجزء:: |
قديمة |
حجم الذاكرة :: |
4 جيجا بايت (256 ميجا × 16) |
التعبئة والتغليف:: |
- |
@ qty :: |
0 |
درجة حرارة التشغيل :: |
-40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (ح) |
أقل كمية:: |
1000 |
واجهة الذاكرة :: |
موازي |
الحزمة / الحالة:: |
- |
نوع التركيب:: |
- |
تردد الساعة :: |
533 ميجا هرتز |
الجهد - العرض:: |
1.14 فولت ~ 1.95 فولت |
مسلسل :: |
- |
الصانع :: |
تقنية ميكرون |
تكنولوجيا :: |
SDRAM - LPDDR2 المحمول |
فئة المنتج :: |
ذاكرة المرحلية |
نوع الذاكرة:: |
متقلب |
Factory Stock :: |
0 |
كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: |
- |
حزمة جهاز المورد:: |
- |
وقت الوصول :: |
- |
تنسيق الذاكرة:: |
درهم |
حالة الجزء:: |
قديمة |
حجم الذاكرة :: |
4 جيجا بايت (256 ميجا × 16) |
التعبئة والتغليف:: |
- |
@ qty :: |
0 |
درجة حرارة التشغيل :: |
-40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (ح) |
أقل كمية:: |
1000 |
واجهة الذاكرة :: |
موازي |
الحزمة / الحالة:: |
- |
نوع التركيب:: |
- |
تردد الساعة :: |
533 ميجا هرتز |
الجهد - العرض:: |
1.14 فولت ~ 1.95 فولت |
مسلسل :: |
- |
الصانع :: |
تقنية ميكرون |
