تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: IC DRAM 12G 1866MHZ
تكنولوجيا :: |
SDRAM - موبايل LPDDR4 |
فئة المنتج :: |
ذاكرة المرحلية |
نوع الذاكرة:: |
متقلب |
Factory Stock :: |
0 |
كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: |
- |
حزمة جهاز المورد:: |
- |
وقت الوصول :: |
- |
تنسيق الذاكرة:: |
درهم |
حالة الجزء:: |
قديمة |
حجم الذاكرة :: |
12 جيجابايت (384 ميجا × 32) |
التعبئة والتغليف:: |
- |
@ qty :: |
0 |
درجة حرارة التشغيل :: |
-30 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (ح) |
أقل كمية:: |
1360 |
واجهة الذاكرة :: |
- |
الحزمة / الحالة:: |
- |
نوع التركيب:: |
- |
تردد الساعة :: |
1866 ميجا هرتز |
الجهد - العرض:: |
1.1 فولت |
مسلسل :: |
- |
الصانع :: |
تقنية ميكرون |
تكنولوجيا :: |
SDRAM - موبايل LPDDR4 |
فئة المنتج :: |
ذاكرة المرحلية |
نوع الذاكرة:: |
متقلب |
Factory Stock :: |
0 |
كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: |
- |
حزمة جهاز المورد:: |
- |
وقت الوصول :: |
- |
تنسيق الذاكرة:: |
درهم |
حالة الجزء:: |
قديمة |
حجم الذاكرة :: |
12 جيجابايت (384 ميجا × 32) |
التعبئة والتغليف:: |
- |
@ qty :: |
0 |
درجة حرارة التشغيل :: |
-30 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (ح) |
أقل كمية:: |
1360 |
واجهة الذاكرة :: |
- |
الحزمة / الحالة:: |
- |
نوع التركيب:: |
- |
تردد الساعة :: |
1866 ميجا هرتز |
الجهد - العرض:: |
1.1 فولت |
مسلسل :: |
- |
الصانع :: |
تقنية ميكرون |
