تفاصيل المنتج
شروط الدفع والشحن
الوصف: IC DRAM 256M بالتوازي 86TSOP II
تكنولوجيا :: |
SDRAM |
فئة المنتج :: |
ذاكرة المرحلية |
نوع الذاكرة:: |
التقلب |
نوع التثبيت :: |
جبل السطح |
تنسيق الذاكرة:: |
دراما |
تخزين :: |
256MB (8M x 32) |
درجة حرارة التشغيل :: |
0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) |
الجهد - مصدر الطاقة :: |
3 فولت ~ 3.6 فولت |
واجهة الذاكرة :: |
بالتوازي |
كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: |
14ns |
تردد الساعة :: |
143 ميجا هرتز |
وقت المقابلة :: |
6ns |
الحزمة / قذيفة:: |
86-TFSOP (0.400 بوصة، عرض 10.16 ملم) |
الصانع :: |
تقنية ميكرون |
تكنولوجيا :: |
SDRAM |
فئة المنتج :: |
ذاكرة المرحلية |
نوع الذاكرة:: |
التقلب |
نوع التثبيت :: |
جبل السطح |
تنسيق الذاكرة:: |
دراما |
تخزين :: |
256MB (8M x 32) |
درجة حرارة التشغيل :: |
0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية (تا) |
الجهد - مصدر الطاقة :: |
3 فولت ~ 3.6 فولت |
واجهة الذاكرة :: |
بالتوازي |
كتابة وقت الدورة - كلمة، صفحة:: |
14ns |
تردد الساعة :: |
143 ميجا هرتز |
وقت المقابلة :: |
6ns |
الحزمة / قذيفة:: |
86-TFSOP (0.400 بوصة، عرض 10.16 ملم) |
الصانع :: |
تقنية ميكرون |
